maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / BD645-S
Référence fabricant | BD645-S |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BD645-S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BD645-S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN - Darlington |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 8A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 50mA, 5A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 3A, 3V |
Puissance - Max | 2W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BD645-S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BD645-S-FT |
BC847B/DG/B3,215
Nexperia USA Inc.
BC847C/DG/B3,215
Nexperia USA Inc.
BC847C/DG/B3,235
Nexperia USA Inc.
BC847CW/DG/B2,115
Nexperia USA Inc.
BC847CW/MIF
Nexperia USA Inc.
BC847CW/MIX
Nexperia USA Inc.
BC856B/DG/B3,215
Nexperia USA Inc.
BC856B/DG/B3,235
Nexperia USA Inc.
BC856BW/DG/B2,115
Nexperia USA Inc.
BC856BW/DG/B3X
Nexperia USA Inc.
M2GL090TS-1FG484I
Microsemi Corporation
A3P125-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE15F23C6
Intel
EPF10K50SFC484-1X
Intel
5SGXMA9K2H40C2LN
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
ICE40LM4K-CM49
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45E2LG
Intel
EPF8636ALC84-4
Intel
EP1S10F780I6N
Intel