maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / BCR 112T E6327
Référence fabricant | BCR 112T E6327 |
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Numéro de pièce future | FT-BCR 112T E6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BCR 112T E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 4.7 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 140MHz |
Puissance - Max | 250mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-75, SOT-416 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SC-75 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR 112T E6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BCR 112T E6327-FT |
PDTB123EQAZ
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PDTB123YQAZ
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PDTC114EQAZ
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A3P250-PQG208I
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