maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / PDTB143XQAZ
Référence fabricant | PDTB143XQAZ |
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Numéro de pièce future | FT-PDTB143XQAZ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
PDTB143XQAZ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 150MHz |
Puissance - Max | 325mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 3-XDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | DFN1010D-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTB143XQAZ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PDTB143XQAZ-FT |
PDTA113ZE,115
NXP USA Inc.
PDTA114EE,115
NXP USA Inc.
PDTA114TE,115
NXP USA Inc.
PDTA114YE,115
NXP USA Inc.
PDTA115EE,115
NXP USA Inc.
PDTA115TE,115
NXP USA Inc.
PDTA123EE,115
NXP USA Inc.
PDTA123JE,115
NXP USA Inc.
PDTA123TE,115
NXP USA Inc.
PDTA123YE,115
NXP USA Inc.
XA6SLX25-3FTG256Q
Xilinx Inc.
XCKU040-2FBVA900I
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX72A-FGG256M
Microsemi Corporation
A42MX24-PQ208M
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5
Intel
XC7VX690T-1FFG1927C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40E2LG
Intel