maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / PDTB123EQAZ
Référence fabricant | PDTB123EQAZ |
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Numéro de pièce future | FT-PDTB123EQAZ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
PDTB123EQAZ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 2.2 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 150MHz |
Puissance - Max | 325mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 3-XDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | DFN1010D-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTB123EQAZ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PDTB123EQAZ-FT |
PDTC144VM,315
Nexperia USA Inc.
PDTC144WM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA113EE,115
NXP USA Inc.
PDTA113ZE,115
NXP USA Inc.
PDTA114EE,115
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PDTA114TE,115
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PDTA114YE,115
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PDTA115EE,115
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PDTA115TE,115
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PDTA123EE,115
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LCMXO2-4000HE-5TG144C
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XCKU15P-1FFVE1517E
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5CGXFC9D6F27I7N
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