maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / BCR 108 B6327
Référence fabricant | BCR 108 B6327 |
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Numéro de pièce future | FT-BCR 108 B6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BCR 108 B6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 170MHz |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR 108 B6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BCR 108 B6327-FT |
UNR221M00L
Panasonic Electronic Components
FJV3114RMTF
ON Semiconductor
BCR183E6327HTSA1
Infineon Technologies
UNR211V00L
Panasonic Electronic Components
BCR142E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR198E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR512E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR555E6327HTSA1
Infineon Technologies
FJV3110RMTF
ON Semiconductor
UNR211E00L
Panasonic Electronic Components
LFXP3C-5TN144C
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XA3S400A-4FGG400Q
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AGLN020V5-CSG81
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M2GL010TS-1VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-LQN84I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7H3F35C4N
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XC5VSX50T-1FF1136C
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6U19I7N
Intel
EPF6024AQC208-3
Intel