maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAV70
Référence fabricant | BAV70 |
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Numéro de pièce future | FT-BAV70 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAV70 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 70V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 6ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 70V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV70 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAV70-FT |
1SS308(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS309(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
UMN1NTR
Rohm Semiconductor
BAV70M-TP
Micro Commercial Co
BAT54CM-TP
Micro Commercial Co
UMP11NTN
Rohm Semiconductor
UMN11NTN
Rohm Semiconductor
UMN10NTR
Rohm Semiconductor
RB530XNTR
Rohm Semiconductor
RB531XNTR
Rohm Semiconductor
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
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EP3SL200H780I3N
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EP2AGX125DF25I3
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5SGXEA9K2H40I3L
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XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
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EP1S30F780C8N
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