maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / BAV19 A0G
Référence fabricant | BAV19 A0G |
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Numéro de pièce future | FT-BAV19 A0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAV19 A0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 200mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV19 A0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAV19 A0G-FT |
FR107G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER101G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER101G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER101G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER101G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER102G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER103G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER104G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER105G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER106G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel