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Référence fabricant | HER101G R1G |
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Numéro de pièce future | FT-HER101G R1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HER101G R1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-204AL (DO-41) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER101G R1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HER101G R1G-FT |
UF1K A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1K B0G
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UF1K R1G
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UF1KHA0G
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UF1M B0G
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UF1M R1G
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UF1MHA0G
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LCMXO2-2000ZE-2TG144C
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XC7A75T-2FTG256I
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5SGXEA7N3F45C4N
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XC7A200T-L1FB484I
Xilinx Inc.
XCKU3P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel
EP20K100EQC208-2XN
Intel