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Référence fabricant | UF1M R1G |
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Numéro de pièce future | FT-UF1M R1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UF1M R1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | - |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | 17pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-204AL (DO-41) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UF1M R1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UF1M R1G-FT |
SR005HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR005HR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR006 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR006 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR006 R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR006HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR006HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR006HR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR009 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR009 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
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5SGSMD5H3F35C2N
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LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
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5SGSMD3H2F35I2LN
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