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Référence fabricant | HER106G R0G |
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Numéro de pièce future | FT-HER106G R0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HER106G R0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-204AL (DO-41) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER106G R0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HER106G R0G-FT |
UF1KHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1M A0G
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UF1M B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1M R1G
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UF1MHA0G
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UF1MHB0G
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UF1MHR1G
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UF4001 A0G
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UF4001 B0G
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A3P400-1FG484I
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M1A3P1000-FGG256
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10M50DCF256C7G
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M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
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5SGXEA3H1F35C2N
Intel