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Référence fabricant | BAS70-00-G3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BAS70-00-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BAS70-00-G3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 70V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 15mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 5ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | 2pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS70-00-G3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS70-00-G3-18-FT |
VS-E5PX6012L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E4PH3006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPU3006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E4PH6006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E5PX3012L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-65EPS12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E4PU3006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPH3006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPU6006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E4PH3006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150-3FGG676C
Xilinx Inc.
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC4008E-1PQ208C
Xilinx Inc.
APA750-FG896
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGTMC7K3F40C1N
Intel
XC4003E-2PC84I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation