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Référence fabricant | VS-E4PH6006LHN3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-E4PH6006LHN3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® |
VS-E4PH6006LHN3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 60A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2V @ 60A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 68ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AD |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-E4PH6006LHN3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-E4PH6006LHN3-FT |
VS-SD1053C22S30L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1053C24S20L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1053C25S20L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1053C28S30L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1053C30S30L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C04L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C08L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C12L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C16L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C20L
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400-5FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C7
Intel
5SGXMB6R1F40C2LN
Intel
XC5VLX110-1FFG1760C
Xilinx Inc.
XC5VLX155T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C8N
Intel