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Référence fabricant | VS-65EPS12LHM3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-65EPS12LHM3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
VS-65EPS12LHM3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 65A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.12V @ 65A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AD |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-65EPS12LHM3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-65EPS12LHM3-FT |
VS-SD1053C25S20L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1053C28S30L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1053C30S30L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C04L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C08L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C12L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C16L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C20L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C25L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C32L
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV1600E-7FG900C
Xilinx Inc.
A54SX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C6N
Intel
XC6VHX380T-2FFG1923I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFEC10E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EP20K200EQC240-2X
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel