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Référence fabricant | VS-65EPS12LHM3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-65EPS12LHM3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
VS-65EPS12LHM3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 65A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.12V @ 65A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AD |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-65EPS12LHM3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-65EPS12LHM3-FT |
VS-SD1053C25S20L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1053C28S30L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1053C30S30L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C04L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C08L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C12L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C16L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C20L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C25L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C32L
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel