maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAS40TW-TP
Référence fabricant | BAS40TW-TP |
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Numéro de pièce future | FT-BAS40TW-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAS40TW-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 3 Independent |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 40V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 40mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 5ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200nA @ 30V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS40TW-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS40TW-TP-FT |
BYV72EW-200,127
WeEn Semiconductors
BYV415W-600PQ
WeEn Semiconductors
BYV74W-400,127
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BYV34X-600,127
WeEn Semiconductors
BYQ28X-200,127
WeEn Semiconductors
BYV410X-600,127
WeEn Semiconductors
NXPS20H100CX,127
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NXPS20S100CX,127
WeEn Semiconductors
BAS16VV,115
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BAS70VV,115
Nexperia USA Inc.
LFECP6E-5T144C
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XC3S1000-4FT256C
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M2GL050TS-1FCSG325
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A3PE1500-1FGG484
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5SGSED8N1F45C2L
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A3PE1500-FGG676I
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LFEC33E-4FN672C
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EP4SGX230FF35C3NES
Intel