maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BYQ28X-200,127
Référence fabricant | BYQ28X-200,127 |
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Numéro de pièce future | FT-BYQ28X-200,127 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYQ28X-200,127 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYQ28X-200,127 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYQ28X-200,127-FT |
NTSB20100CTG
ON Semiconductor
SBRB2545CTG
ON Semiconductor
NTSB30120CTG
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MBRB3030CTLG
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NTSB20100CTT4G
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NTSB40100CTG
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MURHB860CTT4G
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NRVBB41H100CTT4G
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NTSB30100CTT4G
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MBRB20200CTT4G
ON Semiconductor
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
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EP2AGX95DF25C4N
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EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel