maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BYV410X-600,127
Référence fabricant | BYV410X-600,127 |
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Numéro de pièce future | FT-BYV410X-600,127 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYV410X-600,127 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.1V @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 600V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV410X-600,127 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYV410X-600,127-FT |
SBRB2545CTG
ON Semiconductor
NTSB30120CTG
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MBRB3030CTLG
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NTSB20100CTT4G
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NRVBB41H100CTT4G
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XC6SLX150T-3FGG676C
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LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
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5SGXEA3K2F40C3N
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EP2AGX125DF25I3
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5SGXEA9K2H40I3L
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XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
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EP1S30F780C8N
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