maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAS40-05/DG/B2,235
Référence fabricant | BAS40-05/DG/B2,235 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BAS40-05/DG/B2,235 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BAS40-05/DG/B2,235 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 40V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 120mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 40mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 40V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-236AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS40-05/DG/B2,235 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS40-05/DG/B2,235-FT |
MBR200100CT
GeneSiC Semiconductor
MBR200100CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR200150CT
GeneSiC Semiconductor
MBR200150CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR200200CT
GeneSiC Semiconductor
MBR200200CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR20020CT
GeneSiC Semiconductor
MBR20020CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR20035CT
GeneSiC Semiconductor
MBR20035CTR
GeneSiC Semiconductor
ICE40UP5K-SG48ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-3TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-PQ100C
Microsemi Corporation
XC3S400AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
AGLN010V5-UCG36
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27C7
Intel
10M25DCF256C7G
Intel
5SGSMD8K3F40I3N
Intel
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation