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GeneSiC Semiconductor MBR200150CTR

Numéro de pièce MFG
MBR200150CTR
quantité disponible
50960 Pièces
Prix de référence
USD 56.7248
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Date d'expédition
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fabricant
GeneSiC Semiconductor
Brève description
- DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Diodes - Redresseurs - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
MBR200150CTR.pdf
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MBR200150CTR Caractéristiques

Référence fabricant MBR200150CTR
Numéro de pièce future FT-MBR200150CTR
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
MBR200150CTR Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Configuration de la diode 1 Pair Common Anode
Type de diode Schottky
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) 150V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) 100A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si 880mV @ 100A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 3mA @ 150V
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse Twin Tower
Package d'appareils du fournisseur Twin Tower
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MBR200150CTR Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange MBR200150CTR-FT

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