maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBR200100CT
Référence fabricant | MBR200100CT |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MBR200100CT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR200100CT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 840mV @ 100A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5mA @ 20V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Twin Tower |
Package d'appareils du fournisseur | Twin Tower |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR200100CT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR200100CT-FT |
CDSV6-4448AQ-G
Comchip Technology
CDSV6-4448CD-G
Comchip Technology
CDSV6-4448SD-G
Comchip Technology
CDSV6-4448TI-G
Comchip Technology
CDSV6-99SD-G
Comchip Technology
F1842CCD600
Sensata-Crydom
STPS2045CH
STMicroelectronics
STPS2545CGY-TR
STMicroelectronics
DD104N12KAHPSA1
Infineon Technologies
DD104N12KHPSA1
Infineon Technologies
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
Microsemi Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
Intel
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP2AGZ300FF35C4N
Intel