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Référence fabricant | BAS40-00-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BAS40-00-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BAS40-00-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 40V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 40mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 5ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 30V |
Capacité @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS40-00-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS40-00-HE3-18-FT |
VS-EPU6006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-45EPS12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E5PH6012L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-65EPF06LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E5PX6012L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E4PH3006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPU3006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E4PH6006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E5PX3012L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-65EPS12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S500E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S200-5FG456I
Xilinx Inc.
M2GL025T-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1
Intel
5SGXEB5R2F43C2L
Intel
XC4044XL-1HQ208C
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation