maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BA595E6327HTSA1
Référence fabricant | BA595E6327HTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BA595E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BA595E6327HTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 50V |
Courant - Max | 50mA |
Capacité @ Vr, F | 0.6pF @ 10V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 7 Ohm @ 10mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOD323-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA595E6327HTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BA595E6327HTSA1-FT |
MA4E1317
M/A-Com Technology Solutions
MA4AGBLP912
M/A-Com Technology Solutions
MADL-011008-14120T
M/A-Com Technology Solutions
MADL-011021-14150T
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MADP-011027-14150T
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MADP-011028-14150T
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MADL-011023-14150T
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MADP-011029-14150T
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MADP-000907-14020W
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MA4AGFCP910
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M2GL025T-1VFG256
Microsemi Corporation
M2GL050-VF400
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484C4N
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EP4CE115F23I7
Intel
EP2C8F256C6
Intel
EP2AGX125DF25C6N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
AX500-FG676I
Microsemi Corporation
EP1K10QC208-1N
Intel