maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / MA4AGBLP912
Référence fabricant | MA4AGBLP912 |
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Numéro de pièce future | FT-MA4AGBLP912 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MA4AGBLP912 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 50V |
Courant - Max | 40mA |
Capacité @ Vr, F | 0.03pF @ 5V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 4.9 Ohm @ 20mA, 1GHz |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 125°C (TJ) |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4AGBLP912 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MA4AGBLP912-FT |
MMVL3700T1
ON Semiconductor
MMVL3700T1G
ON Semiconductor
MBD330DWT1G
ON Semiconductor
MBD770DWT1G
ON Semiconductor
MBD110DWT1G
ON Semiconductor
MMBD770T1G
ON Semiconductor
MMBD352WT1G
ON Semiconductor
MMBD330T1G
ON Semiconductor
NSVP249SDSF3T1G
ON Semiconductor
MMBD770T1
ON Semiconductor
MPF300T-FCVG484E
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C7
Intel
5SGXEA5K2F40C2L
Intel
10M04SAU169C8G
Intel
XCKU5P-1FFVD900E
Xilinx Inc.
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S2F45E2LG
Intel
10AX115U3F45I2LG
Intel
EP2AGX65DF29C4
Intel