maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / MA4AGBLP912
Référence fabricant | MA4AGBLP912 |
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Numéro de pièce future | FT-MA4AGBLP912 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MA4AGBLP912 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 50V |
Courant - Max | 40mA |
Capacité @ Vr, F | 0.03pF @ 5V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 4.9 Ohm @ 20mA, 1GHz |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 125°C (TJ) |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4AGBLP912 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MA4AGBLP912-FT |
MMVL3700T1
ON Semiconductor
MMVL3700T1G
ON Semiconductor
MBD330DWT1G
ON Semiconductor
MBD770DWT1G
ON Semiconductor
MBD110DWT1G
ON Semiconductor
MMBD770T1G
ON Semiconductor
MMBD352WT1G
ON Semiconductor
MMBD330T1G
ON Semiconductor
NSVP249SDSF3T1G
ON Semiconductor
MMBD770T1
ON Semiconductor
XC2V2000-4FG676I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQG208
Microsemi Corporation
EP2C70F672C7
Intel
10M50SAE144C8G
Intel
EP1AGX90EF1152I6
Intel
XC5VLX155-1FFG1760I
Xilinx Inc.
XC7K70T-2FBG484C
Xilinx Inc.
XC7K480T-L2FFG1156I
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQ100A
Microsemi Corporation