maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / MA4AGBLP912
Référence fabricant | MA4AGBLP912 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MA4AGBLP912 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MA4AGBLP912 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 50V |
Courant - Max | 40mA |
Capacité @ Vr, F | 0.03pF @ 5V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 4.9 Ohm @ 20mA, 1GHz |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 125°C (TJ) |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4AGBLP912 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MA4AGBLP912-FT |
MMVL3700T1
ON Semiconductor
MMVL3700T1G
ON Semiconductor
MBD330DWT1G
ON Semiconductor
MBD770DWT1G
ON Semiconductor
MBD110DWT1G
ON Semiconductor
MMBD770T1G
ON Semiconductor
MMBD352WT1G
ON Semiconductor
MMBD330T1G
ON Semiconductor
NSVP249SDSF3T1G
ON Semiconductor
MMBD770T1
ON Semiconductor
XC6SLX150T-3FGG900I
Xilinx Inc.
APA750-PQG208A
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
XC6SLX45-N3CSG324I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFX200EB-03FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35I1SG
Intel
10AX115R4F40E3LG
Intel