maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / MA4AGFCP910
Référence fabricant | MA4AGFCP910 |
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Numéro de pièce future | FT-MA4AGFCP910 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MA4AGFCP910 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 75V |
Courant - Max | - |
Capacité @ Vr, F | 0.021pF @ 10V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 6 Ohm @ 10mA, 10GHz |
Dissipation de puissance (max) | 50mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Paquet / caisse | 2-SMD, No Lead |
Package d'appareils du fournisseur | 2-FlipChip |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4AGFCP910 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MA4AGFCP910-FT |
NSVP249SDSF3T1G
ON Semiconductor
MMBD770T1
ON Semiconductor
1SV263-TL-E
ON Semiconductor
1SV249-TL-E
ON Semiconductor
1SV264-TL-E
ON Semiconductor
1SV246-TL-E
ON Semiconductor
1SV315-TL-E
ON Semiconductor
BYM357X,127
NXP USA Inc.
BYM358X,127
NXP USA Inc.
BYM359X-1500,127
NXP USA Inc.
XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
LFE2M100E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F23A7N
Intel
EP4CE75F23C9L
Intel
5SGXEB6R2F40I2N
Intel
EP4SE530F43C2ES
Intel
XA6SLX45-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP3C120F780I7N
Intel
EPF10K50SBC356-1
Intel