maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / AUIRFN8401TR
Référence fabricant | AUIRFN8401TR |
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Numéro de pièce future | FT-AUIRFN8401TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
AUIRFN8401TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 84A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 50µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2170pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 4.2W (Ta), 63W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PQFN (5x6) |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRFN8401TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AUIRFN8401TR-FT |
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