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Infineon Technologies AUIRFN8401TR

Numéro de pièce MFG
AUIRFN8401TR
quantité disponible
68800 Pièces
Prix de référence
USD 0.819408
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET® MOSFET N-CH 40V 84A 8PQFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
AUIRFN8401TR.pdf
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AUIRFN8401TR Caractéristiques

Référence fabricant AUIRFN8401TR
Numéro de pièce future FT-AUIRFN8401TR
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
AUIRFN8401TR Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Not For New Designs
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 84A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 50µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2170pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 4.2W (Ta), 63W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PQFN (5x6)
Paquet / caisse 8-PowerTDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AUIRFN8401TR Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange AUIRFN8401TR-FT

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