maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRF9392TRPBF
Référence fabricant | IRF9392TRPBF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRF9392TRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF9392TRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 9.8A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V, 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.1 mOhm @ 7.8A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 25µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1270pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF9392TRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF9392TRPBF-FT |
IRF7807D2PBF
Infineon Technologies
IRF7807D2TR
Infineon Technologies
IRF7807D2TRPBF
Infineon Technologies
IRF7807PBF
Infineon Technologies
IRF7807TR
Infineon Technologies
IRF7807TRPBF
Infineon Technologies
IRF7807VD1
Infineon Technologies
IRF7807VD1PBF
Infineon Technologies
IRF7807VD1TR
Infineon Technologies
IRF7807VD1TRPBF
Infineon Technologies
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel