maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRF9410TRPBF
Référence fabricant | IRF9410TRPBF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRF9410TRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF9410TRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF9410TRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF9410TRPBF-FT |
IRF7807TRPBF
Infineon Technologies
IRF7807VD1
Infineon Technologies
IRF7807VD1PBF
Infineon Technologies
IRF7807VD1TR
Infineon Technologies
IRF7807VD1TRPBF
Infineon Technologies
IRF7807VD2
Infineon Technologies
IRF7807VD2PBF
Infineon Technologies
IRF7807VD2TR
Infineon Technologies
IRF7807VD2TRPBF
Infineon Technologies
IRF7807VPBF
Infineon Technologies
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel