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Infineon Technologies IRF7807VD2PBF

Name: IRF7807VD2PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7807VD2PBF
Availability: InStock
Rating: 4.9 (297 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRF7807VD2PBF

quantité disponible: 28700 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: FETKY™ MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRF7807VD2PBF.pdf

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IRF7807VD2PBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRF7807VD2PBF
Numéro de pièce future	FT-IRF7807VD2PBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	FETKY™
IRF7807VD2PBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	8.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Caractéristique FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max)	2.5W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-SO
Paquet / caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF7807VD2PBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRF7807VD2PBF-FT

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