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Référence fabricant | AS6C8016-55TIN |
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Numéro de pièce future | FT-AS6C8016-55TIN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS6C8016-55TIN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 8Mb (512K x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 55ns |
Temps d'accès | 55ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TSOP I |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C8016-55TIN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS6C8016-55TIN-FT |
AS4C8M32SA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C325632-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C2M32S-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C2M32S-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32S-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32S-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32SA-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32SA-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C351232-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C351232-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel