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Référence fabricant | AS4C2M32S-7BCNTR |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C2M32S-7BCNTR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS4C2M32S-7BCNTR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM |
Taille mémoire | 64Mb (2M x 32) |
Fréquence d'horloge | 143MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 2ns |
Temps d'accès | 5.4ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 90-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 90-TFBGA (8x13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C2M32S-7BCNTR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C2M32S-7BCNTR-FT |
MT41K256M8DA-107 AAT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-107:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125 AUT:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125 AUT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125 IT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107 AAT:P
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107 AAT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107 AIT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107 XIT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107:P TR
Micron Technology Inc.
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel