maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / AS4PJ-M3/86A
Référence fabricant | AS4PJ-M3/86A |
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Numéro de pièce future | FT-AS4PJ-M3/86A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | eSMP® |
AS4PJ-M3/86A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2.4A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 962mV @ 2A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.8µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-277, 3-PowerDFN |
Package d'appareils du fournisseur | TO-277A (SMPC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4PJ-M3/86A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4PJ-M3/86A-FT |
BAV20WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101AWS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45-3CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A100T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FGG484I
Xilinx Inc.
MPF300TLS-FCG1152I
Microsemi Corporation
A3P030-1VQG100I
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100QC208-3
Intel