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Référence fabricant | GSD2004WS-E3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-GSD2004WS-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
GSD2004WS-E3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 240V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 225mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 100mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 240V |
Capacité @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSD2004WS-E3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GSD2004WS-E3-18-FT |
VS-SD300C12C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD300C16C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD300C20C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD300C25C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD300C28C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD300C30C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD300C32C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD303C04S10C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD303C08S10C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD303C10S10C
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
XCKU5P-2FFVB676E
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
Intel
XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation