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Référence fabricant | BAV21WS-E3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BAV21WS-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAV21WS-E3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 250mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 200mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV21WS-E3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAV21WS-E3-18-FT |
VS-SD300C04C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD300C08C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD300C12C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD300C16C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD300C20C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD300C25C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD300C28C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD300C30C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD300C32C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD303C04S10C
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel