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Microsemi Corporation APTMC120HM17CT3AG

Numéro de pièce MFG
APTMC120HM17CT3AG
quantité disponible
33230 Pièces
Prix de référence
USD 717.08448
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
- POWER MODULE - SIC MOSFET
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APTMC120HM17CT3AG.pdf
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APTMC120HM17CT3AG Caractéristiques

Référence fabricant APTMC120HM17CT3AG
Numéro de pièce future FT-APTMC120HM17CT3AG
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
APTMC120HM17CT3AG Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 4 N-Channel
Caractéristique FET Silicon Carbide (SiC)
Drain à la tension source (Vdss) 1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 30mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 332nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5576pF @ 1000V
Puissance - Max 750W
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse Module
Package d'appareils du fournisseur SP3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTMC120HM17CT3AG Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APTMC120HM17CT3AG-FT

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