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ON Semiconductor EFC2J013NUZTDG
- Numéro de pièce MFG
- EFC2J013NUZTDG
- quantité disponible
- 26450 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.1508
- Notre prix
- Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous
- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- ON Semiconductor
- Brève description
- - MOSFET N-CH 12V 17A WLCSP6 DUAL
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Matrices
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- EFC2J013NUZTDG.pdf
EFC2J013NUZTDG Caractéristiques
| Référence fabricant | EFC2J013NUZTDG |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-EFC2J013NUZTDG |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| EFC2J013NUZTDG Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Caractéristique FET | Standard |
| Drain à la tension source (Vdss) | - |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 4.5V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Puissance - Max | 1.8W (Ta) |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | 6-SMD, No Lead |
| Package d'appareils du fournisseur | 6-WLCSP (2x1.49) |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| EFC2J013NUZTDG Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | EFC2J013NUZTDG-FT |
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