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ON Semiconductor FDMC8200S_F106

Numéro de pièce MFG
FDMC8200S_F106
quantité disponible
54150 Pièces
Prix de référence
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
PowerTrench® MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FDMC8200S_F106.pdf
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FDMC8200S_F106 Caractéristiques

Référence fabricant FDMC8200S_F106
Numéro de pièce future FT-FDMC8200S_F106
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries PowerTrench®
FDMC8200S_F106 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 6A, 8.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 15V
Puissance - Max 700mW, 1W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-PowerWDFN
Package d'appareils du fournisseur 8-Power33 (3x3)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDMC8200S_F106 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FDMC8200S_F106-FT

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