maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / EFC2J004NUZTDG
Référence fabricant | EFC2J004NUZTDG |
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Numéro de pièce future | FT-EFC2J004NUZTDG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EFC2J004NUZTDG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | - |
Caractéristique FET | - |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EFC2J004NUZTDG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EFC2J004NUZTDG-FT |
FDMC8200
ON Semiconductor
FDMC8200S
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EP2C50U484C8
Intel
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EP1M350F780I6N
Intel
XC7K325T-1FB676C
Xilinx Inc.
M2GL090-FGG676
Microsemi Corporation
EP1C20F400C8N
Intel