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Référence fabricant | APTM10DHM09TG |
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Numéro de pièce future | FT-APTM10DHM09TG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APTM10DHM09TG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 139A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 69.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 350nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9875pF @ 25V |
Puissance - Max | 390W |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SP4 |
Package d'appareils du fournisseur | SP4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTM10DHM09TG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APTM10DHM09TG-FT |
DMN1023UCB4-7
Diodes Incorporated
SLA5096
Sanken
SMA5112
Sanken
SMA5127
Sanken
STZD3155CT1G
ON Semiconductor
FDMA1023PZ-F106
ON Semiconductor
VEC2415-TL-W-Z
ON Semiconductor
DMN13M9UCA6-7
Diodes Incorporated
DMN16M9UCA6-7
Diodes Incorporated
DMN2023UCB4-7
Diodes Incorporated
LFEC1E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K70T-2FBG676C
Xilinx Inc.
A3PE600-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05AL-1AQC
Microchip Technology
5SGSMD5H3F35I4
Intel
XC6SLX16-N3CSG324C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144
Microsemi Corporation
5CGTFD7C5U19C7N
Intel
EP2AGX260EF29C5
Intel