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APTM10DHM09TG Image

Microsemi Corporation APTM10DHM09TG

Numéro de pièce MFG
APTM10DHM09TG
quantité disponible
92550 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
- MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APTM10DHM09TG.pdf
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APTM10DHM09TG Caractéristiques

Référence fabricant APTM10DHM09TG
Numéro de pièce future FT-APTM10DHM09TG
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
APTM10DHM09TG Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caractéristique FET Standard
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 139A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 350nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9875pF @ 25V
Puissance - Max 390W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse SP4
Package d'appareils du fournisseur SP4
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM10DHM09TG Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APTM10DHM09TG-FT

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