maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / APTGT50H170TG
Référence fabricant | APTGT50H170TG |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-APTGT50H170TG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APTGT50H170TG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Full Bridge Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 75A |
Puissance - Max | 312W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 50A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 250µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 4.4nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SP4 |
Package d'appareils du fournisseur | SP4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT50H170TG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APTGT50H170TG-FT |
APTGLQ300A120G
Microsemi Corporation
APTGLQ300H65G
Microsemi Corporation
APTGLQ300SK120G
Microsemi Corporation
APTGLQ30H65T3G
Microsemi Corporation
APTGLQ40H120T1G
Microsemi Corporation
APTGLQ40HR120CT3G
Microsemi Corporation
APTGLQ50DDA65T3G
Microsemi Corporation
APTGLQ50H65T1G
Microsemi Corporation
APTGLQ50H65T3G
Microsemi Corporation
APTGLQ50TL65T3G
Microsemi Corporation