maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / APT56M60L
Référence fabricant | APT56M60L |
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Numéro de pièce future | FT-APT56M60L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APT56M60L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 60A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 28A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 280nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 11300pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1040W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-264 |
Paquet / caisse | TO-264-3, TO-264AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT56M60L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT56M60L-FT |
PMV100XPEAR
Nexperia USA Inc.
PMV120ENEAR
Nexperia USA Inc.
PMV20XNEAR
Nexperia USA Inc.
PMV230ENEAR
Nexperia USA Inc.
PMV250EPEAR
Nexperia USA Inc.
PMV25ENEAR
Nexperia USA Inc.
PMV27UPEAR
Nexperia USA Inc.
PMV280ENEAR
Nexperia USA Inc.
PMV28UNEAR
Nexperia USA Inc.
PMV32UP/MIR
Nexperia USA Inc.
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel