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Référence fabricant | PMV100XPEAR |
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Numéro de pièce future | FT-PMV100XPEAR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PMV100XPEAR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.4A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 128 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 386pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 463mW (Ta), 1.9W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-236AB |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMV100XPEAR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PMV100XPEAR-FT |
PSMN4R4-80BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN4R6-60BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN4R8-100BSEJ
Nexperia USA Inc.
PSMN5R0-80BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN7R6-100BSEJ
Nexperia USA Inc.
PSMN7R6-60BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN8R0-40BS,118
Nexperia USA Inc.
PMCM6501UPEZ
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PMCM6501VNEZ
Nexperia USA Inc.
PMCM4401UNEZ
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A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel