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Référence fabricant | PMV280ENEAR |
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Numéro de pièce future | FT-PMV280ENEAR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
PMV280ENEAR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.1A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 385 mOhm @ 1.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 580mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-236AB |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMV280ENEAR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PMV280ENEAR-FT |
PMCM6501UPEZ
Nexperia USA Inc.
PMCM6501VNEZ
Nexperia USA Inc.
PMCM4401UNEZ
Nexperia USA Inc.
PMCM4401VPEZ
Nexperia USA Inc.
PMCM4402UPEZ
Nexperia USA Inc.
PMCM4401VNEAZ
Nexperia USA Inc.
NX7002BKSX
Nexperia USA Inc.
PMG85XP,115
Nexperia USA Inc.
PMG85XPH
Nexperia USA Inc.
NX3020NAKW,115
Nexperia USA Inc.
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel