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Référence fabricant | PMV280ENEAR |
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Numéro de pièce future | FT-PMV280ENEAR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
PMV280ENEAR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.1A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 385 mOhm @ 1.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 580mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-236AB |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMV280ENEAR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PMV280ENEAR-FT |
PMCM6501UPEZ
Nexperia USA Inc.
PMCM6501VNEZ
Nexperia USA Inc.
PMCM4401UNEZ
Nexperia USA Inc.
PMCM4401VPEZ
Nexperia USA Inc.
PMCM4402UPEZ
Nexperia USA Inc.
PMCM4401VNEAZ
Nexperia USA Inc.
NX7002BKSX
Nexperia USA Inc.
PMG85XP,115
Nexperia USA Inc.
PMG85XPH
Nexperia USA Inc.
NX3020NAKW,115
Nexperia USA Inc.
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
Intel
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel