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Référence fabricant | APT5010JVRU3 |
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Numéro de pièce future | FT-APT5010JVRU3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APT5010JVRU3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 44A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 22A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 312nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7410pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 450W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227 |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT5010JVRU3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT5010JVRU3-FT |
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XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
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EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel