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APT14F100B Image

Microsemi Corporation APT14F100B

Numéro de pièce MFG
APT14F100B
quantité disponible
44470 Pièces
Prix de référence
USD 6.20612
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Date d'expédition
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fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
POWER MOS 8™ MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APT14F100B.pdf
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APT14F100B Caractéristiques

Référence fabricant APT14F100B
Numéro de pièce future FT-APT14F100B
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries POWER MOS 8™
APT14F100B Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 980 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3965pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-247 [B]
Paquet / caisse TO-247-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT14F100B Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APT14F100B-FT

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