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Référence fabricant | APT14F100B |
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Numéro de pièce future | FT-APT14F100B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | POWER MOS 8™ |
APT14F100B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1000V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 14A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 980 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3965pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 500W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 [B] |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT14F100B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT14F100B-FT |
PMPB100ENEX
Nexperia USA Inc.
PMPB10XNE,115
Nexperia USA Inc.
PMPB13XNE,115
Nexperia USA Inc.
PMPB15XN,115
Nexperia USA Inc.
PMPB15XPH
Nexperia USA Inc.
PMPB15XPZ
Nexperia USA Inc.
PMPB16XNEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB19XP,115
Nexperia USA Inc.
PMPB20EN,115
Nexperia USA Inc.
PMPB20ENZ
Nexperia USA Inc.
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel