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Référence fabricant | APT40M35JVFR |
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Numéro de pièce future | FT-APT40M35JVFR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | POWER MOS V® |
APT40M35JVFR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 400V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 93A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 46.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1065nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 20160pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 700W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Package d'appareils du fournisseur | ISOTOP® |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT40M35JVFR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT40M35JVFR-FT |
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XC4020E-4HQ208I
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XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
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M1A3P1000L-FGG144
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