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Référence fabricant | APT20M22B2VRG |
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Numéro de pièce future | FT-APT20M22B2VRG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | POWER MOS V® |
APT20M22B2VRG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 435nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 10200pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 520W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | T-MAX™ [B2] |
Paquet / caisse | TO-247-3 Variant |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT20M22B2VRG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT20M22B2VRG-FT |
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APT84F50L
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Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
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EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel