maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / APT43F60B2
Référence fabricant | APT43F60B2 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-APT43F60B2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | POWER MOS 8™ |
APT43F60B2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 45A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 21A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 215nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8590pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 780W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | T-MAX™ [B2] |
Paquet / caisse | TO-247-3 Variant |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT43F60B2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT43F60B2-FT |
APT1204R7BFLLG
Microsemi Corporation
APT42F50B
Microsemi Corporation
APT8M100B
Microsemi Corporation
APT10090BLLG
Microsemi Corporation
APT7F120B
Microsemi Corporation
APT38N60BC6
Microsemi Corporation
APT47N60BC3G
Microsemi Corporation
APT30M70BVRG
Microsemi Corporation
APT53N60BC6
Microsemi Corporation
APT17F100B
Microsemi Corporation
XC4005XL-2PQ100I
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
EPF10K100AFC484-3
Intel
EP4CE10F17C8L
Intel
EP2AGX95DF25C6
Intel
XC6VLX240T-1FF1156C
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FF672C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation