maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / APT2X101S20J
Référence fabricant | APT2X101S20J |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-APT2X101S20J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APT2X101S20J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 120A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 100A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 70ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2mA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | ISOTOP |
Package d'appareils du fournisseur | ISOTOP® |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT2X101S20J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT2X101S20J-FT |
MSAD200-16
Microsemi Corporation
MSCD165-08
Microsemi Corporation
MSCD165-12
Microsemi Corporation
MSCD165-16
Microsemi Corporation
MSCD200-08
Microsemi Corporation
MSKD165-08
Microsemi Corporation
MSKD165-12
Microsemi Corporation
MSKD200-08
Microsemi Corporation
MSKD200-12
Microsemi Corporation
MSKD200-16
Microsemi Corporation
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
5SGXMA5K3F35C3N
Intel
10AX016E3F27I2LG
Intel
10AX016E3F27E1SG
Intel
EPF8636AQC160-2
Intel