maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MSKD200-16
Référence fabricant | MSKD200-16 |
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Numéro de pièce future | FT-MSKD200-16 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MSKD200-16 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 300A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 9mA @ 1600V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | D2 |
Package d'appareils du fournisseur | SD2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSKD200-16 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSKD200-16-FT |
APT2X100DQ120J
Microsemi Corporation
APT2X101DL40J
Microsemi Corporation
APT2X30DQ120J
Microsemi Corporation
APT2X61DQ120J
Microsemi Corporation
APT2X61D40J
Microsemi Corporation
APT2X101DQ100J
Microsemi Corporation
APT2X100DQ100J
Microsemi Corporation
APT2X30D20J
Microsemi Corporation
APT2X30D60J
Microsemi Corporation
APT2X31D30J
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel