maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MSKD200-12
Référence fabricant | MSKD200-12 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MSKD200-12 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MSKD200-12 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 300A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 9mA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | D2 |
Package d'appareils du fournisseur | SD2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSKD200-12 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSKD200-12-FT |
APT2X31D60J
Microsemi Corporation
APT2X100DQ120J
Microsemi Corporation
APT2X101DL40J
Microsemi Corporation
APT2X30DQ120J
Microsemi Corporation
APT2X61DQ120J
Microsemi Corporation
APT2X61D40J
Microsemi Corporation
APT2X101DQ100J
Microsemi Corporation
APT2X100DQ100J
Microsemi Corporation
APT2X30D20J
Microsemi Corporation
APT2X30D60J
Microsemi Corporation
LFECP6E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484I4N
Intel
5CEBA2F17C7N
Intel
XC7K70T-3FBG484E
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35I5
Intel
EP4CE115F29I7N
Intel
EP3SL70F780C4
Intel
10AX032E1F27I1HG
Intel
EP20K200EQI208-3
Intel