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Référence fabricant | MSKD200-12 |
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Numéro de pièce future | FT-MSKD200-12 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MSKD200-12 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 300A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 9mA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | D2 |
Package d'appareils du fournisseur | SD2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSKD200-12 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSKD200-12-FT |
APT2X31D60J
Microsemi Corporation
APT2X100DQ120J
Microsemi Corporation
APT2X101DL40J
Microsemi Corporation
APT2X30DQ120J
Microsemi Corporation
APT2X61DQ120J
Microsemi Corporation
APT2X61D40J
Microsemi Corporation
APT2X101DQ100J
Microsemi Corporation
APT2X100DQ100J
Microsemi Corporation
APT2X30D20J
Microsemi Corporation
APT2X30D60J
Microsemi Corporation
A42MX36-CQ256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-6BG400C
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EPF10K100EFC484-1N
Intel
5SGXEA7K2F40I2L
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5AGXBA3D4F27C4N
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XC4VFX40-11FF1152I
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XC7K410T-2FFV900C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176
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LFXP3E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation