maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / APT24M120L
Référence fabricant | APT24M120L |
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Numéro de pièce future | FT-APT24M120L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | POWER MOS 8™ |
APT24M120L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 24A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 680 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8370pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1040W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-264 [L] |
Paquet / caisse | TO-264-3, TO-264AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT24M120L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT24M120L-FT |
PMV100ENEAR
Nexperia USA Inc.
PMV100XPEAR
Nexperia USA Inc.
PMV120ENEAR
Nexperia USA Inc.
PMV20XNEAR
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PMV230ENEAR
Nexperia USA Inc.
PMV250EPEAR
Nexperia USA Inc.
PMV25ENEAR
Nexperia USA Inc.
PMV27UPEAR
Nexperia USA Inc.
PMV280ENEAR
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PMV28UNEAR
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XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
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LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
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5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel